BBO電光普克爾盒（用于激光器）
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- 更新時間：2025-12-14
- 產品介紹：BBO電光普克爾盒（用于激光器）當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態。
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產品介紹
| 品牌 | Eksma | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 醫療衛生,環保,化工,電子/電池 |
BBO電光普克爾盒（用于激光器）
當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態。
特征：
小的壓電振鈴
o低吸收
o陶瓷孔徑是可利用的
o寬廣的傳輸范圍從200納米到2000納米
緊湊的尺寸
應用：
o高重復率DPSS Q開關
o高重復率再生放大器控制
o腔傾倒
o光束斬波器
當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時，泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態。當與起偏器一起使用時，普克爾斯盒可以用作快速光開關。典型的應用包括激光腔的Q開關，激光腔傾倒以及耦合入再生放大器的光。
BBO電光普克爾盒（用于激光器）
基于BBO的普克爾斯盒可用于從紫外線到2微米以上的波長。低壓電振鈴使得這些普克爾盒對于高功率和高脈沖重復率激光器的控制具有吸引力。與電池匹配的快速開關電子驅動器可用于Q開關，腔體傾倒和其他應用。 PCB系列的普克爾盒是橫向的現場設備。 BBO的低電光系數導致高工作電壓。四分之一波長電壓與電極間距和晶體長度的比例成正比。結果，較小的孔徑器件具有較低的四分之一波長，然而即使對于2.5mm的孔徑器件，四分之一波長電壓也高達4kV @ 1064nm。采用雙晶體設計來降低所需電壓，并允許以快速開關時間在半波模式下工作。
型號 | PCB3S | PCB3D | PCB3S/25 | PCB3D/25 | PCB4S | PCB4D |
通光孔徑，mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
晶體大小，（HxL）毫米 | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
晶體數量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
λ/ 2電壓1064nm，kV DC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
電容，pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
光傳輸，％ | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
對比度 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
細胞大小，毫米 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x42.2 | Ø25.4x67.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 |
對于普克爾盒上述晶體涂層Ar/39Ar @ 1064 nm。其他抗反射涂層可根據要求提供。10 ns脈沖在1064 nm處的損傷閾值＞5。
型號 | PCB3S-1342 | PCB3D-800 | PCB3S-532 |
通光孔徑，mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
晶體大小，（HxL）毫米 | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
晶體數量 | 1 | 2 | 1 |
λ/ 2電壓1064nm，kV DC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
電容，pF | 1342 | 800 | 532 |
光傳輸，％ | 4 | 6 | 4 |
對比度 | >98 | >98 | >98 |
細胞大小，毫米 | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| Ø25.4x57.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x37.2 |
1）用正交偏光鏡法測量
規格如有變更，不另行通知。
BBO電光細胞1040～1070 nm范圍內，與主機的高功率和高重復率激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1064 | ø 2.5 mm | <1.8 kV DC | 1064 nm |
PCB3S-C-1064 | ø 2.5 mm | <3.5 kV DC | 1064 nm |
PCB4D-C-1064 | ø 3.5 mm | <2.3 kV DC | 1064 nm |
PCB4S-C-1064 | ø 3.5 mm | <4.6 kV DC | 1064 nm |
PCB3D/25-C-1064 | ø 2.5 mm | <1.5 kV DC | 1064 nm |
PCB3S/25-C-1064 | ø 2.5 mm | <3.0 kV DC | 1064 nm |
PCB6.3S-C-1064 | ø 5.8 mm | <7.5 kV DC | 1064 nm |
PCB6.3D-C-1064 | ø 5.8 mm | <3.8 kV DC | 1064 nm |
BBO電光為1020-1040 nm范圍內的細胞，鐿主機飛秒激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1030 | ø 2.5 mm | <1.7 kV DC | 1030 nm |
PCB3S-C-1030 | ø 2.5 mm | <3.4 kV DC | 1030 nm |
PCB4D-C-1030 | ø 3.5 mm | <2.2 kV DC | 1030 nm |
PCB4S-C-1030 | ø 3.5 mm | <4.5 kV DC | 1030 nm |
PCB3D/25-C-1030 | ø 2.5 mm | <1.4 kV DC | 1030 nm |
PCB3S/25-C-1030 | ø 2.5 mm | <2.9 kV DC | 1030 nm |
PCB6.3S-C-1030 | ø 5.8 mm | <7.4 kV DC | 1030 nm |
PCB6.3D-C-1030 | ø 5.8 mm | <3.75 kV DC | 1030 nm |
BBO電光為770-820 nm范圍內，細胞鈦：藍寶石飛秒激光器
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-800 | ø 2.5 mm | <1.3 kV DC | 800 nm |
PCB3S-C-800 | ø 2.5 mm | <2.6 kV DC | 800 nm |
PCB4D-C-800 | ø 3.5 mm | <1.7 kV DC | 800 nm |
PCB4S-C-800 | ø 3.5 mm | <3.4 kV DC | 800 nm |
PCB3D/25-C-800 | ø 2.5 mm | <1.1 kV DC | 800 nm |
PCB3S/25-C-800 | ø 2.5 mm | <2.1 kV DC | 800 nm |
自定義普克爾單元庫存
型號 | 通光孔徑 | 四分之一波電壓* | 中心波長 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1342 | ø 2.5 mm | <2.4 kV DC | 1342 nm |
PCB4S-C-532 | ø 3.5 mm | <2.25 kV DC | 532 nm |
*在中心波長處計算直流電壓的四分之一波長電壓。 脈沖工作電壓通常高達10％。
高于標準的BBO普克爾斯單元具有直徑等于晶體通光孔徑的保護性陶瓷孔。 可以去除陶瓷孔以獲得電光晶體的全開口。
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